Η Κίνα έχει κάνει ένα μεγάλο βήμα στην ώθηση της στη βιομηχανία μνήμης IC. Τρεις μεγάλες κινεζικές εταιρείες ετοιμάζονται για δοκιμαστική παραγωγή DRAMs και NAND flash κατά το δεύτερο εξάμηνο του 2018. Οι YMTC, Innotron (Hefei Chang Xin) και JHICC προγραμματίζονται να αρχίσουν δοκιμαστική παραγωγή NAND Flash, DRAM κινητής τηλεφωνίας και DRAM ειδικότητας, αντίστοιχα, κατά το δεύτερο εξάμηνο του 2018, σύμφωνα με το DRAMeXchange , ένα τμήμα της TrendForce . Η μαζική παραγωγή θα ακολουθήσει το πρώτο εξάμηνο του 2019, σηματοδοτώντας την πρώτη εγχώρια παραγωγή τσιπ στην Κίνα.
Ο εξοπλισμός εγκαταστάθηκε στην παραγωγή της Innotron το τρίτο τρίμηνο (Q3) του 2017, σύμφωνα με το DRAMeXchange, αλλά η εταιρεία ανέβαλε τη δοκιμαστική παραγωγή μέχρι το τρίτο τρίμηνο του 2018, που θα ακολουθήσει μαζική παραγωγή κατά το πρώτο εξάμηνο του 2019.
Η JHICC, που επικεντρώθηκε στην ειδικότητα DRAM, ανέβαλε επίσης τη δοκιμαστική παραγωγή της μέχρι το 3ο τρίμηνο του 2018 και τη μαζική παραγωγή έως το 1ο 2019. Η εταιρεία ανακοίνωσε το σχέδιό της τον Ιούλιο του 2016 να επενδύσει 5,3 δισεκατομμύρια δολάρια σε ένα νέο πλακίδιο 12 ιντσών σε Jinjiang της επαρχίας Fujian.
Τόσο η Innotron όσο και η JHICC βρίσκονται πίσω από τα αναγγελθέντα χρονοδιαγράμματα τους, ανέφερε η DRAMeXchange.
Το Innotron μπορεί να αντιμετωπίσει άλλες προκλήσεις. Οι παρατηρητές της βιομηχανίας δεν πιστεύουν ότι οι Κινέζοι κατασκευαστές μνήμης IC θα είναι σε θέση να αναπτύξουν προηγμένη τεχνολογία χωρίς να παραβιάζουν τα διπλώματα ευρεσιτεχνίας ή να συνάπτουν εταιρικές σχέσεις.
"Η Innotron προφανώς θέλει να ανταγωνιστεί επικεφαλής με κορυφαίους προμηθευτές DRAM επιλέγοντας τα LPDDR4 8Gb chips ως πρώτο προϊόν της, αλλά υπάρχει μεγάλη πιθανότητα η Innotron να έχει πιθανά προβλήματα παράβασης διπλωμάτων ευρεσιτεχνίας", δήλωσε η DRAMeXchange. "Για να αποφευχθούν επιχειρήματα, η Innotron θα πρέπει να συγκεντρώσει IP που αναγνωρίζονται από τους διεθνείς νόμους. Μια άλλη ασφαλέστερη προσέγγιση είναι να πωλούν προϊόντα μόνο στην εγχώρια αγορά από την αρχή. "
Τα επίπεδα των δαπανών της Samsung για το κεφάλαιο θα σταματήσουν "σε κάθε ελπίδα ότι οι κινεζικές εταιρείες θα έχουν τη δυνατότητα να γίνουν σημαντικοί παίκτες στις αγορές 3D NAND flash ή DRAM " και "σχεδόν εγγυώνται ότι χωρίς κάποιο είδος κοινοπραξίας με μεγάλη υπάρχουσα μνήμη, οι νέες κινεζικές μνήμες έχουν ελάχιστες πιθανότητες να ανταγωνίζονται στο ίδιο επίπεδο με τους κορυφαίους προμηθευτές σήμερα ", δήλωσε ο Bill McLean, πρόεδρος της IC Insights, πέρυσι.
"Ακόμα κι αν είχαν να αναπτύξουν μόνοι τους προηγμένες τεχνολογίες, οι νέοι Κινέζοι προμηθευτές σχεδόν σίγουρα θα παραβίαζαν πολυάριθμα διπλώματα ευρεσιτεχνίας DRAM και NAND που τηρούν η Samsung, η SK Hynix, η Micron κ.λπ.", πρόσθεσε.
Στο τμήμα NAND flash, η YMTC σχεδιάζει να κατασκευάσει τρεις μονάδες παραγωγής φλας 3D-NAND διαδοχικά σε τρεις φάσεις. Η πρώτη φάση ολοκληρώθηκε το Σεπτέμβριο του 2017 με προγραμματισμένη εγκατάσταση εξοπλισμού το τρίτο τρίμηνο του 2018, ακολουθούμενη από δοκιμαστική παραγωγή το τέταρτο τρίμηνο, δήλωσε η DRAMeXchange. Το εργοστάσιο θα κατασκευάσει 32-στρώμα MLC 3D-NAND Flash. Οι εκκινήσεις από τα βαρέλια δεν αναμένεται να ξεπεράσουν τα 10.000 το μήνα.
"Η κατασκευή των εργοστασίων δεύτερης και τρίτης φάσης και των σχεδίων παραγωγής τους θα συνεχιστεί σύμφωνα με την κατάσταση μετά την τελική σχεδίαση της YMTC", δήλωσε η εταιρεία DRAMeXchange.
